帶你深入了解選擇性原子層沉積技術(shù)
2018-06-19
很多涉及原子層沉積技術(shù)(ALD)的人都知道,選擇性原子層沉積是當(dāng)今熱議的話題。各類論文、研討會和博文層出不窮,詳盡地解釋了各種可以達(dá)到選擇性生長目的的新方法。從某種意義上說,選擇性ALD運(yùn)用了長期困擾ALD使用者的效應(yīng),即由于ALD的化學(xué)反應(yīng)特性,薄膜生長的成核現(xiàn)象取決于基底表面。通常來說,在ALD領(lǐng)域人們已經(jīng)在研究如何盡可能減小這種影響。例如,等離子體ALD一般會有可忽略不計的延遲,但對于選擇性ALD來說,成核延遲現(xiàn)象卻被放大了。
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